晶体管类型：4 PNP（四路）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：16-SOIC

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs